在负载RL中有电流流过,其电流大小取决于光电靶在该单元的电阻值大小。光照强处对应阻值较小,流过负载RL的电流就较大,因而RL两端产生的压降也就较大。负载电阻RL上形成电压就是摄像管输出的图像信号。光电转换过程(图像的摄取过程):被摄景物通过摄像机的光学镜头在光电靶上成像,空气能热水工程,被电子束将这幅图像分解为像素,同时把各个像素的亮度转变为在负载电阻RL上大小不同的电压降,从而形成摄像管输出信号。
只有当光照射pn结时才能使耗尽层内产生载流子(电子-空穴对),空气能工程,载流子被结内电场加速形成光电流。利用该原理制成的光电二极管称为耗尽层光电二极管。耗尽层光电二极管有pin层、pn层、金属-半导体型、异质型等CCD(ChargeCoupledDevice)即电荷耦合器件,通过输入面上光电信号逐点的转换、储存和传输,在其输出端产生一时序信号。随着科技的进步,CCD技术日臻完善,已广泛用于安全防范、电视、工业、通信、远程教育、可视网络1电话等领域。
在硅中加入五价原子后称之为N型半导体,乐东空气能,加入三价原子后称之为P型半导体。N型半导体及P型半导体虽然带有自由电子或空穴但本身仍然保持电中性,如果N型半导体及P型半导体内杂质浓度均匀分布则内部没有电场存在。若将N型半导体及P型半导体接和在一起,商用空气能,会因为两边自由电子与空穴的浓度不同产生扩散。N型半导体中自由电子浓度较高,因此自由电子由N型半体向P型半导体扩散,同样的空穴会由P型半导体向N型半导体扩散。
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